日本专家提醒：中国半导体技术落后对手7、8年

近日，曾于2019至2021年担任中国紫光集团高级副总裁的坂本幸雄接受日经中文网访问。

在被问到中国与世界顶尖水平的差距有多大，他指出：

中国长鑫存储技术（CXMT）在DRAM领域较三星落后4倍左右。

而NAND记忆卡领域，据称中国顶尖的长江存储科技（YMTC）将启动储存元件为128层的量产，虽启动192层的试生产，但制造的数量过少，还不到谈论竞争力的水平。

另外，在运算用逻辑芯片领域，中芯国际产品的最细电路线宽还只是14纳米，这已是7、8年前的技术。

由于美国的制裁，中芯尚难引进尖端的生产设备，无法涉足高价值的处理器尖端领域。

经营资源完全被用在增加14纳米以上的产能，如果缺乏在3、4年后追上台积电等龙头企业的决心，差距会不断扩大。

他表示，中国半导体生产达全世界15％。不过，其中英特尔等外资企业占6成，中国企业仅占4成。

此外，目前协助中国半导体产业发展的一般都不是中国内地的人才。

相比于台积电和三星电子，中国缺乏从零开始创造价值的研发经验和耐心。

希望国产芯片加油！